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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS5672  Transistor MOSFET, Canale N, 12 A, 60 V, 0.0088 ohm, 10 V, 4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5672
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Panoramica del prodotto

The FDS5672 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's PowerTrench® process. It designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
  • Low gate charge
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability

Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
Canale N
Corrente Continua di Drain Id:
12A
Tensione Drain Source Vds:
60V
Resistenza di Attivazione Rds(on):
0.0088ohm
Tensione Vgs di Misura Rds(on):
10V
Tensione di Soglia Vgs:
4V
Dissipazione di Potenza Pd:
2.5W
Modello Case Transistor:
SOIC
No. di Pin:
8Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Non Limitata
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)

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Applicazioni

  • Gestione Alimentazione;
  • Industriale

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
United States

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.000278

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