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DIODES INC.  DXT2010P5-13  Transistor Singolo Bipolare (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 130 MHz, 3.2 W, 6 A, 200 hFE

DIODES INC. DXT2010P5-13
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Panoramica del prodotto

The DXT2010P5-13 is a NPN medium power Bipolar Transistor offers package of 43% smaller than SOT223 and 60% smaller than TO252. It is suitable for motor driver and regulator circuit applications.
  • UL94V-0 Flammability rating
  • Maximum height just 1.1mm
  • Rated up to 3.2W
  • Low saturation voltage
  • Halogen-free, Green device
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Informazioni sui prodotti

Polarità Transistor:
NPN
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo:
60V
Frequenza di Transizione ft:
130MHz
Dissipazione di Potenza Pd:
3.2W
Corrente di Collettore DC:
6A
Guadagno di Corrente DC hFE:
200hFE
Modello Case Transistor:
PowerDI5
No. di Pin:
3Pin
Temperatura di Esercizio Max:
150°C
Gamma Prodotti:
-
Standard di Qualifica Automotive:
-
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):
MSL 1 - Non Limitata
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)

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Applicazioni

  • Difesa, Esercito e Aerospaziale;
  • Controllo e Azionamento Motori;
  • Gestione Alimentazione;
  • Industriale

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
China

Paese in cui si è svolta l'ultima più significativa parte del processo produttivo

Conforme alla direttiva RoHS:
Tariffa n.:
85412900
Peso (kg):
.000093

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