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1845643
PSMN015-60PS

PSMN015-60PS

NXP

MOSFET, N CH, 60V, 50A, TO-220AB

MOSFET, N CH, 60V, 50A, TO-220AB; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza di Attivazione Rds(on):12.6mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione di P

1.919

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1845633
PSMN017-60YS

PSMN017-60YS

NXP

MOSFET, N CH, 60V, 44A, LFPAK

MOSFET, N CH, 60V, 44A, LFPAK; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:44A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza di Attivazione Rds(on):12.3mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione di Pote

342

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1845658
PSMN030-60YS

PSMN030-60YS

NXP

MOSFET, N CH, 60V, 29A, LFPAK

MOSFET, N CH, 60V, 29A, LFPAK; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:29A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza di Attivazione Rds(on):19.1mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione di Pote

2.845

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1845636
PSMN039-100YS

PSMN039-100YS

NXP

MOSFET, N CH, 100V, 28.1A, LFPAK

MOSFET, N CH, 100V, 28.1A, LFPAK; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:28.1A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza di Attivazione Rds(on):30.8mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione d

2.897

Prezzo per: Nastro e bobina parziali 1

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1845662
PSMN069-100YS

PSMN069-100YS

NXP

MOSFET, N CH, 100V, 17A, LFPAK

MOSFET, N CH, 100V, 17A, LFPAK; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza di Attivazione Rds(on):56.6mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione di Po

247

Prezzo per: Nastro e bobina parziali 1

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1845637
PSMN1R6-30PL

PSMN1R6-30PL

NXP

MOSFET, N CH, 30V, 100A, TO-220AB

MOSFET, N CH, 30V, 100A, TO-220AB; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza di Attivazione Rds(on):1.4mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione d

2.592

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1845641
PSMN4R3-30PL

PSMN4R3-30PL

NXP

MOSFET, N CH, 30V, 100A, TO-220AB

MOSFET, N CH, 30V, 100A, TO-220AB; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza di Attivazione Rds(on):3.5mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione d

526

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1845656
PSMN5R8-40YS

PSMN5R8-40YS

NXP

MOSFET, N CH, 40V, 90A, LFPAK

MOSFET, N CH, 40V, 90A, LFPAK; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza di Attivazione Rds(on):4.4mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione di Poten

154

Prezzo per: Nastro e bobina parziali 1

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