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1845643
PSMN015-60PS

PSMN015-60PS

NXP

MOSFET,N CH,60V,50A,TO-220AB

MOSFET,N CH,60V,50A,TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):12.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:86W; Transistor Case

1.921

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1845633
PSMN017-60YS

PSMN017-60YS

NXP

MOSFET,N CH,60V,44A,LFPAK

MOSFET,N CH,60V,44A,LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):12.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:74W; Transistor Case Sty

217

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1845658
PSMN030-60YS

PSMN030-60YS

NXP

MOSFET, N CH, 60V, 29A, LFPAK

MOSFET, N CH, 60V, 29A, LFPAK; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:29A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza di Attivazione Rds(on):19.1mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione di Pote

3.220

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1845636
PSMN039-100YS

PSMN039-100YS

NXP

MOSFET, N CH, 100V, 28.1A, LFPAK

MOSFET, N CH, 100V, 28.1A, LFPAK; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:28.1A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza di Attivazione Rds(on):30.8mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione d

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1845662
PSMN069-100YS

PSMN069-100YS

NXP

MOSFET,N CH,100V,17A,LFPAK

MOSFET,N CH,100V,17A,LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):56.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:56W; Transistor Case S

252

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1845637
PSMN1R6-30PL

PSMN1R6-30PL

NXP

MOSFET, N CH, 30V, 100A, TO-220AB

MOSFET, N CH, 30V, 100A, TO-220AB; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza di Attivazione Rds(on):1.4mohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione d

2.599

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1845641
PSMN4R3-30PL

PSMN4R3-30PL

NXP

MOSFET,N CH,30V,100A,TO-220AB

MOSFET,N CH,30V,100A,TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Power Dissipation Pd:103W; Transistor C

530

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1845656
PSMN5R8-40YS

PSMN5R8-40YS

NXP

MOSFET,N CH,40V,90A,LFPAK

MOSFET,N CH,40V,90A,LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:89W; Transistor Case Styl

1.304

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